até de cashback
Memória Kingston Para Notebook SODIMM 4GB 2666Mhz DDR4 CL19 - KVR26N19S6/4
Memória Kingston Para Notebook SODIMM 4GB 2666Mhz DDR4 CL19 - KVR26N19S6/4
Cód.:
44212
Memória Kingston Para Notebook SODIMM 4GB 2666Mhz DDR4 CL19 - KVR26N19S6/4
A memória Kingston é projetada, fabricada e rigorosamente testada para atender as exatas especificações de cada marca de sistema. Tem suporte técnico, garantia vitalícia e a reconhecida confiabilidade Kingston.
| ESPECIFICAÇÕES TÉCNICAS | ||
| Marca | Kingston | |
| Modelo | KVR26N19S6/4 | |
| Especificações: | - Frequência de operação: 2666MHz - CL (IDD): 19 ciclos - Row Cycle Time (tRcmin): 45,75ns (min.) - Refresh to Active / Refresh Command Time (tRFcmin) 350ns (min.) - Row Active Time (tRASmin) – 32ns (min.) - Potência Máxima de Operação – TBD W* - Classificação UL 94 V - 0 - Temperatura de operação – 0oC a +85oC - Temperatura de armazenamento - -55oC a + 100oC *A potência pode variar dependendo do uso do SDRAM | |
| Características / Benefícios: | - Tensão de operação: VDD = 1,2V Típico - VDDQ = 1,2 V Típico - VPP = 2.5V Típico - VDDSPD = 2,2 V a 3,6 V - Terminação nominal e dinâmica no DIE (ODT) para sinais de dados, luz e máscara - Auto-atualização de baixa potência (LPASR) - Inversão de barramento de dados (DBI) para barramento de dados - Geração e calibração VREFDQ no DIE - Single Rank - EEPROM de detecção de presença serial (SPD) on-board I2 - 8 bancos internos; 2 grupos de 4 bancos cada - Burst chop fixo (BC) de 4 e comprimento de Burst (BL) de 8 através do conjunto registradores de modo (MRS) - BC4 ou BL8 selecionáveis em tempo real (OTF) - Topologia fly-by - Comando de controle e barramento de endereços com terminação - PCB: Altura 1,18" (30,00 mm) - em conformidade com RoHS e sem halogênios | |
