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O KSM26ES8/8HD da Kingston é um módulo de memória DDR4-2666 1G x 72 bits (8GB) CL19 SDRAM (DRAM síncrona), 1Rx8, ECC, com base em nove componentes FBGA 1G x 8 bits. O SPD é programado para latência padrão JEDEC DDR4-2666 tempo de 19-19-19 a 1.2V. Cada DIMM de 288 pinos utiliza contatos de ouro.
Recursos:
• Fonte de alimentação: VDD = 1,2 V típica
• VDDQ = 1,2 V típico
• VPP = 2,5 V típico
• VDDSPD = 2,2 V a 3,6 V
• Terminação nominal e dinâmica na matriz (ODT) para dados, strobe e sinais de máscara
• Auto-atualização de baixa potência (LPASR)
• Inversão de barramento de dados (DBI) para barramento de dados
• Geração e calibração de VREFDQ na matriz
• Single-rank
• EEPROM de detecção de presença serial I2 on-board (SPD)
• Sensor de temperatura com SPD integrado
• 16 bancos internos; 4 grupos de 4 bancos cada
• Corte de burst fixo (BC) de 4 e comprimento de burst (BL) de 8 através do conjunto de registro de modo (MRS)
• Selecionável BC4 ou BL8 on-the-fly (OTF)
• Topologia fly-by
• Comando de controle terminado e barramento de endereço
• PCB: Altura 1,23 ”(31,25 mm)
• Compatível com RoHS e livre de halogênio
• Unbuffered
Outras Características:
• CL (IDD): 19 ciclos
• Tempo de ciclo de linha (tRCmin): 45,75ns (min.)
• Tempo de comando de refresh (tRFCmin): 350ns (min.)
• Tempo de linha ativa (tRASmin): 32ns (min.)
• Classificação UL: 94 V-0
• Temperatura de operação: 0ºC a +85ºC
• Temperatura de armazenamento: -55ºC a +100ºC.
| ESPECIFICAÇÕES TÉCNICAS | ||
| Marca | Kingston | |
| Modelo | ECC (KSM26ES8/8HD) | |
| Capacidade | 8GB (1x 8GB) | |
| Tipo | DDR4 | |
| Velocidade | 2666MHz | |
| Tensão | 1.2V | |
| Compatibilidade | Servidor | |
| Informações Adicionais | - Ciclos: CL19-19-19 - Pinagem: 288-pin - Unbuffered | |
